單晶硅激光精密切割 定制加工
單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱單晶硅主要用于制作半導體元件。
用途： 是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延法。直拉法、區熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節能燈、電視機等系列產品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領域。
由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應用廣。在IC工業中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。
硅片直徑越大，技術要求越高，越有市場前景，價值也就越高的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性
激光加工的特點：
1. 激光切割的切縫窄，工件變形小
2. 激光切割是一種高能量、密度可控性好的無接觸加工
3. 激光切割具有廣泛的適應性和靈活性
公司激光加工設備針對各種材質：金屬及合金、半導體、陶瓷、各種透明材質、薄膜和聚合物等各種材料。且已成功完成1000多個基于以上材料的各種激光微加工試驗和方案。
公司所涉及的激光業務范疇包括前期的方案可行性研究和新制程開發服務、中期小規模試產和論證、后期的規�；慨a業務外包等。立志于成為國內激光精密微加工和微制造的領跑者，為客戶提供定制化、低成本和完善的高端激光加工解決方案。
梁經理
